خواص الکتریکی ، نوری، و ساختاری غشاهای نازک اکسید قلع ایندیم در دستگاه های ساطع کننده نور آلی

متن اصلی به همراه ترجمه فارسی مقاله

Electrical, optical, and structural properties of indium–tin–oxide thin films

(for organic light-emitting devices)

ناشر:

موسسه فیزیک آمریکا American Institute of Physics  (aip)

خواص الکتریکی ، نوری، و ساختاری غشاهای نازک اکسید قلع ایندیم در دستگاه های ساطع کننده نور آلی

غشاهای نازک اکسید قلع ایندیوم با کیفیت بالا   بوسیله ی رسوب لیزر پالسی بر روی بستر شیشه ای بدون درمان بازپخت رسوب بعدی، رشد می کنند. خواص  الکتریکی، نوری و ساختاری این غشاها بعنوان تابعی از ترکیب مورد هدف، دمای بستر رسوبی، پس زمینه فشار گاز، و ضخامت غشاها مورد بررسی قرار گرفته است.غشاها از ترکیبات هدف مختلفی اعم از ۰ تا  از محتوای  رسوب خواهد شد. ترکیب هدف مطلوب برای رسانایی بالا برابر با  بود. غشاها در درجه حرارت بستری از دمای اتاق تا  در فشار جزئی  از ۱ تا  رسوب داده می شوند. غشاها با استفاده از لیزر رادیواکتیو  (، عرض کامل در نصف حداکثری) در اثرگذاری  رسوب داده می شوند. در رشد یک لایه  با ضخامت در دمای اتاق با فشار اکسیژن ، مقاومت  و متوسط انتقال در محدوده قابل روئیت و مرئی ،  بود. درغشای   رسوب شده با ضخامت  در در  اکسیژن، مقاومت  و متوسط انتقال در محدوده مرئی  بود.  حرکت سوراخ و چگالی حامل بار در یک غشا با ضخامت  رسوب شده به ترتیب در  ، برابر با  و  می باشد. کاهش در ضریب شکست در غشاهای  را می توان  با بالابردن چگالی الکترونی در غشا بدست آورد که می تواند توسط افزایش غلظت ماده ی تغلیظی یا همان  قلع، در اهداف مورد نظر، و یا با افزایش درجه حرارت رسوب بدست آورد. اندازه گیری های میکروسکوپی نیروی اتمی از این غشاهای  نشان داد که میانگین ریشه مربع از سختی و زبر بودن سطح  خودشان  بود به طوریکه نسبت به آنچه به صورت تجاری از غشاهای رسوب شده   در دسترس بود. غشاهای  برای ساخت دیودهای ساطع کننده نور آلی مورد استفاده قرار گرفت. ازاین ساختارها الکترولومینانس(پدیده نورافشانی جسمی پس از قرار گرفتن درمعرض تابش اشعه به طور الکتریکی)  اندازه گیری شد و راندمان کوانتومی خارجی آن  بود.

ادامه با خرید و دانلود

مطالعه بیشتر