مدار تنظیم کننده مقاومت-خازنی (RC) با ترانزیستور FET

نوع فایل
pdf
حجم فایل
216kb
تعداد صفحات
1
زبان
فارسی
تعداد بازدید
2,758 بازدید
۲۵,۰۰۰ تومان

دانلود نقشه مدار تنظیم کننده مقاومت خازنی (RC) با ترانزیستور FET

تنظیم کننده های مقاومت – خازنی به سبب بار زیاد برای ترانزیستورهای اتصالی چندان رضایتبخش نیستند.

امپدانس زیاد FET ها بدون صدمه به محدوده دینامیک کنترل تن این مسله را برطرف می کند.

نقشه شماتیک مدار تنظیم کننده مقاومت خازنی (RC) کنترل تن صدا با ترانزیستور FET مدل Q1

مدارهای تنظیم کننده مقاومت-خازنی (RC) (Tone Control) برای کنترل فرکانس‌های صوتی در تقویت‌کننده‌ها بسیار حیاتی هستند. با این حال، استفاده از ترانزیستورهای اتصالی (Bipolar Junction Transistors) در این مدارها، به دلیل بار زیاد، نتایج رضایت‌بخشی در کیفیت صدا ایجاد نمی‌کند.

ما یک نقشه شماتیک کامل از یک مدار پیشرفته کنترل تن را ارائه می‌دهیم که با استفاده از ترانزیستور اثر میدانی (FET) این مشکل را برطرف می‌کند. این مدار برای علاقه‌مندان به الکترونیک صوتی یک منبع بسیار ارزشمند است.

چالش‌های استفاده از ترانزیستورهای اتصالی در مدارهای کنترل تن

در مدارهای RC کنترل تن، ترانزیستورهای اتصالی معمولی به دلیل امپدانس ورودی نسبتاً کم، بار زیادی را به مدار وارد می‌کنند. این بار منجر به صدمه به محدوده دینامیک (Dynamic Range) و کاهش کیفیت تنظیمات کنترل تن می‌شود.

مزایای استفاده از ترانزیستور FET (مانند 2N3820)

استفاده از FET، به‌ویژه مدل‌هایی نظیر 2N3820 (یا جایگزین‌هایی مانند HEP801 ،N2943 و MPF105  این مسئله را به طور کامل برطرف می‌کند. دلیل این امر، امپدانس زیاد FETها است.

  • کاهش بارگذاری: امپدانس بالای FET باعث می‌شود که مدار کنترل تن بار کمتری را ببیند.
  • بهبود محدوده دینامیک: عدم تحمیل بار زیاد، محدوده دینامیک کنترل تن را حفظ کرده و کیفیت صدای خروجی را به طور قابل ملاحظه‌ای بهبود می‌بخشد.

نقش امپدانس بالا در بهبود کیفیت کنترل تن

 Q1 در این نقشه شماتیک، یک FET است که به عنوان یک بافر با امپدانس بالا عمل می‌کند و از تأثیر منفی مدار RC بر مراحل قبلی تقویت‌کننده جلوگیری می‌نماید. این ویژگی باعث می‌شود تنظیمات تریبل (زیر) و بیس (بم) با دقت و کیفیت بالاتری انجام شود.

معرفی ترانزیستورهای جایگزین FET در مدار

ترانزیستور  Q1 در مدار می‌تواند از انواع  FET زیر انتخاب شود که همگی دارای امپدانس ورودی بالا هستند:

  • 2N3820
  • HEP801
  • N2943
  • MPF105

 اجزا و تحلیل عملکرد مدار تنظیم تن

مدار فوق شامل اجزای کلیدی زیر است:

  • مقاومت‌های متغیر (پتانسیومتر): شامل مقاومت‌های 1M و 500K که برای تنظیم سطح فرکانس‌های صوتی استفاده می‌شوند.
  • خازن‌های کوپلاژ ۰.۱ میکروفاراد : برای انتقال سیگنال AC بین طبقات و حذف DC.
  • شبکه RC: شامل مقاومت‌ها و خازن‌هایی که منحنی پاسخ فرکانسی مدار را تعیین می‌کنند.
  • ترانزیستور  FET ( Q1): تقویت‌کننده اصلی و بافر امپدانس بالا.

مطالعه بیشتر

راهنمای خرید:
  • لینک دانلود فایل بلافاصله بعد از پرداخت وجه به نمایش در خواهد آمد.
  • همچنین لینک دانلود به ایمیل شما ارسال خواهد شد به همین دلیل ایمیل خود را به دقت وارد نمایید.
  • ممکن است ایمیل ارسالی به پوشه اسپم یا Bulk ایمیل شما ارسال شده باشد.
  • پسورد تمامی فایل ها www.bibliofile.ir است.
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
  • در صورتی که این فایل دارای حق کپی رایت و یا خلاف قانون می باشد ، لطفا به ما اطلاع رسانی کنید.
پسوند فایل

PDF

نوع فایل

نوشتاری

زبان

فارسی

نوع محصول

پروژه آماده, پروژه تخصصی, نقشه مهندسی

موضوع

الکترونیک, مدارات تقویت کننده و آمپلی فایر, مدارات کنترل و پردازش صدا, مدارهای الکترونیکی

نقد و بررسی‌ها

هنوز هیچ نقد و بررسی وجود ندارد.

اضافه کردن نقد و بررسی

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *