مدار کلید لمسی فوق حساس ۱۲ ولتی با ترانزیستور  – فعال‌سازی با ظرفیت خازنی بدن

نوع فایل
pdf
حجم فایل
252kb
تعداد صفحات
1
زبان
فارسی
تعداد بازدید
3,584 بازدید
۲۵,۰۰۰ تومان

مدار کلید لمسی ۱۲ ولتی فوق حساس با ترانزیستور  – فعال‌سازی با ظرفیت خازنی بدن

شماتیک مدار کلید لمسی ۱۲ ولتی با ترانزیستورهای HEP 801، 50 و 51 که با لمس صفحه سنسور، رله خروجی K1 را فعال می‌کند.

مدار کلید لمسی فوق حساس ۱۲ ولتی

به دنبال یک سوئیچ مدرن و بدون قطعه متحرک هستید؟ این شماتیک یک کلید لمسی (Touch Switch) ساده اما بسیار حساس است که از اصل تغییرات ظرفیت خازنی بدن انسان برای فعال‌سازی استفاده می‌کند. با لمس صفحه حس‌کننده (صفحه لمس شونده)، ظرفیت خازنی مدار تغییر کرده و جریان بسیار ضعیف به یک سیگنال قوی تقویت می‌شود تا رله خروجی را فعال کند. این مدار یک پروژه عالی برای ساخت کلیدهای چراغ، دزدگیرهای لمسی، یا هر دستگاهی است که نیاز به فعال‌سازی بدون فشار فیزیکی دارد.

ویژگی‌های اصلی و مزایای کلیدی:

ویژگی محصول مزیت برای کاربر
فعال‌سازی با لمس سوئیچینگ مدرن بدون نیاز به قطعات مکانیکی و فیزیکی.
حساسیت بسیار بالا به دلیل استفاده از مقاومت R1 (10 مگااهم)، مدار به کوچک‌ترین تغییرات ظرفیت خازنی (لمس دست) واکنش نشان می‌دهد.
تقویت سه‌مرحله‌ای استفاده از ترانزیستورهای HEP 801، HEP 50، و HEP 51 برای تقویت سیگنال ضعیف ورودی تا سطح تحریک رله.
خروجی رله استاندارد رله K1 (12V) امکان کنترل دستگاه‌های خارجی با ولتاژ و جریان بالاتر را فراهم می‌سازد.
ولتاژ عملیاتی استاندارد تغذیه با ۱۲ ولت DC، متناسب با منابع تغذیه رایج.

تحلیل عملکرد مدار کلید لمسی ترانزیستوری

این مدار شامل یک سیستم تقویت‌کننده سه‌مرحله‌ای با حساسیت فوق‌العاده بالا برای تشخیص جریان‌های بسیار ناچیز است:

  1. بخش حسگر و ورودی (صفحه لمس شونده):
    • صفحه لمس شونده به عنوان سنسور خازنی عمل می‌کند.
    • با لمس این صفحه، بدن انسان به عنوان یک خازن عمل کرده و یک جریان بسیار ناچیز (ناشی از نویز و ولتاژهای القایی) را به ورودی مدار تزریق می‌کند.
  2. تقویت فوق حساس (Q1: HEP 801):
    • ترانزیستور Q1 (HEP 801) به دلیل وجود مقاومت بزرگ R1 (10 مگااهم) در مسیر بایاس خود، به شدت به تغییرات کوچک ولتاژ حساس می‌شود و اولین مرحله تقویت قوی را انجام می‌دهد.
  3. تقویت و شکل‌دهی سیگنال (Q2: HEP 50):
    • سیگنال تقویت‌شده توسط Q2 (HEP 50) تقویت بیشتری می‌شود.
    • خازن C1 (10µF) پس از Q2 برای ذخیره‌سازی انرژی پالس فعال‌سازی استفاده می‌شود تا رله خروجی به صورت لحظه‌ای وصل نشود و پایداری مدار افزایش یابد.
  4. سوئیچینگ نهایی (Q3: HEP 51):
    • سیگنال نهایی از طریق R4 (470Ω) به بیس ترانزیستور Q3 (HEP 51) می‌رسد.
    • Q3 به عنوان یک سوئیچ قدرت عمل کرده و با فعال شدن، جریان کافی را برای سیم‌پیچ رله K1 (12V) فراهم می‌سازد و رله را وصل می‌کند.

نکات فنی مهم:

  • حالت لچینگ/مومنتاری: بر اساس این شماتیک، رله ممکن است فقط تا زمانی که لمس ادامه دارد فعال بماند (سوئیچ مومنتاری). برای تبدیل آن به حالت لچینگ (دائمی)، نیاز به افزودن یک تریستور (SCR) یا مدار فلیپ فلاپ است.

مطالعه بیشتر

راهنمای خرید:
  • لینک دانلود فایل بلافاصله بعد از پرداخت وجه به نمایش در خواهد آمد.
  • همچنین لینک دانلود به ایمیل شما ارسال خواهد شد به همین دلیل ایمیل خود را به دقت وارد نمایید.
  • ممکن است ایمیل ارسالی به پوشه اسپم یا Bulk ایمیل شما ارسال شده باشد.
  • پسورد تمامی فایل ها www.bibliofile.ir است.
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
  • در صورتی که این فایل دارای حق کپی رایت و یا خلاف قانون می باشد ، لطفا به ما اطلاع رسانی کنید.
پسوند فایل

PDF

زبان

فارسی

نوع محصول

پروژه آماده, پروژه تخصصی, نقشه مهندسی

موضوع

الکترونیک, پروژه‌های DIY, مدارات کنترل و سوئیچینگ, مدارات نوری و سنسوری, مدارهای الکترونیکی

نقد و بررسی‌ها

هنوز هیچ نقد و بررسی وجود ندارد.

اضافه کردن نقد و بررسی

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *